2019年9月2日，中国武汉，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”） 在IC China 2019前夕宣布，将在其第三代3D NAND闪存中应用Xtacking 2.0，相关技术概念将在IC China 2019紫光展台首次公开介绍。

Xtacking2.0 - 释放3D NAND闪存无限潜能

Xtacking 2.0将充分利用Xtacking架构优势为客户带来更多价值。其中包括：进一步提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等。

通过与客户、行业合作伙伴和行业标准机构的紧密合作，搭载Xtacking 2.0技术的长江存储第三代产品将被广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域，并将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。

2018年8月，长江存储在全球FMS（闪存峰会）上发布了Xtacking架构，并获得大会最高荣誉“Best of Show”奖项。Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。

2018年8月 Xtacking获得FMS “Best of Show”奖项

具体来讲，相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

Xtacking：创新架构使3D NAND能拥有更快的I/O接口速度

采用Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

Xtacking：创新架构使3D NAND能拥有更高的存储密度

传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking®技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。

Xtacking：模组化的工艺将提升研发效率并缩短生产周期

Xtacking技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。

长江存储在此次IC China 2019开幕前夕同时宣布，中国首款64层3D NAND闪存作为首个搭载Xtacking架构的闪存芯片已启动量产。