铠侠和闪迪联合预览了更快的 218 层 3D NAND 技术,具有更高的接口速度和更好的能效。他们还透露了即将推出的 332 层技术。这些进展将大幅提升存储性能和容量,以满足人工智能等新兴应用对数据存储的巨大需求。新技术采用创新的 NAND 接口和芯片架构,有望推动闪存存储技术迈向新的里程碑。