HBM(高带宽存储)是一种多层DRAM Die垂直堆叠的存储技术,通过TSV技术实现高带宽和小体积。
对于NAND闪存存储来说,2023年可谓过山车般跌宕起伏的一年。
在美光第二代HBM3芯片亮相一个月后, SK海力士正在对一款HBM3E芯片进行采样。
洛斯阿拉莫斯国家实验室与SK海力士将在下周的闪存峰会上展示合作开发的计算存储SSD,号称能通过对键值存储数据的索引将模拟分析速度提升三个数量级。
SK海力士和英特尔在韩国时间10月20日共同宣布签署收购协议,根据协议约定,SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。
韩国闪存制造商大举进军企业级SSD市场。